一般說(shuō)明

LM158系列包括兩個(gè)獨(dú)立的高增益，內(nèi)部頻率補(bǔ)償運(yùn)算放大器它們是專(zhuān)門(mén)為從一個(gè)電壓范圍廣的電源。操作來(lái)自分體式電源也有可能和低功耗電源電流消耗與電源電壓。應(yīng)用領(lǐng)域包括傳感器放大器，直流增益塊和所有的傳統(tǒng)運(yùn)算放大器電路可以更容易地在單電源中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)。例如，LM158系列可以直接在標(biāo)準(zhǔn)+5V電源電壓下工作在數(shù)字系統(tǒng)中使用，可以輕松地提供所需的無(wú)需額外±15V的接口電子設(shè)備電源。LM358和LM2904采用National的micro-SMD封裝技術(shù)，采用芯片尺寸的封裝（8-Bump micro-SMD）。獨(dú)特的特性

在線性模式下，輸入共模電壓范圍包括接地和輸出電壓也可以即使從一個(gè)單電源電壓。單位增益交叉頻率是溫度補(bǔ)償?shù)摹?/p>

輸入偏置電流也經(jīng)過(guò)溫度補(bǔ)償

優(yōu)勢(shì)

兩個(gè)內(nèi)部補(bǔ)償運(yùn)算放大器

消除了對(duì)雙電源的需要

允許在GND附近直接感應(yīng)，并且VOUT也可以接地

兼容所有形式的邏輯

適合電池操作的電源消耗

特征

提供8-Bump micro SMD芯片尺寸封裝，（見(jiàn)AN-1112）

單位增益內(nèi)部頻率補(bǔ)償

大直流電壓增益：100dB

n寬帶寬（單位增益）：1 MHz（溫度補(bǔ)償）

寬電源范圍：-單電源：3V至32V-或雙電源：±1.5V至±16V

極低的電源電流消耗（500μA）-基本上與電源電壓無(wú)關(guān)

低輸入偏移電壓：2 mV

輸入共模電壓范圍包括接地

差分輸入電壓范圍等于功率

電源電壓

輸出電壓擺幅大

壓控振蕩器

絕對(duì)最大額定值（注9）

LM158/LM258/LM358 LM2904

LM158A/LM258A/LM358A

電源電壓，V+32V 26V

差分輸入電壓32V 26V

輸入電壓−0.3V至+32V−0.3V至+26V功耗（注1）

模壓DIP 830 mW 830 mW

金屬罐550兆瓦

小外形包（M）530 mW 530 mW

微型SMD 435mW

輸出對(duì)地短路（一個(gè)放大器）（注2）

V+≤15V且TA=25°C連續(xù)連續(xù)

輸入電流（VIN<−0.3V）（注3）50 mA 50 mA

工作溫度范圍

LM358 0˚C至+70˚C−40˚C至+85˚C

LM258−25˚C至+85˚C

LM158−55˚C至+125˚C

儲(chǔ)存溫度范圍−65˚C至+150˚C−65˚C至+150˚C

鉛溫度，浸漬（焊接，10秒）260攝氏度260攝氏度

鉛溫度，金屬罐（焊接，10秒）300˚C 300˚C

焊接信息

雙列直插式組件

焊接（10秒）260˚C 260˚C

小號(hào)外形包

氣相（60秒）215˚C 215˚C

紅外線（15秒）220攝氏度220攝氏度

其他焊接方法見(jiàn)AN-450“表面安裝方法及其對(duì)產(chǎn)品可靠性的影響”

表面貼裝設(shè)備。

ESD公差（注10）250V 250V

電氣特性

V+=+5.0V，除非另有說(shuō)明

電氣特性（續(xù)）

V+=+5.0V，（注4），除非另有說(shuō)明

注1：對(duì)于在高溫下運(yùn)行，LM358/LM358A、LM2904必須根據(jù)a+125˚C最高結(jié)溫和MDIP的電阻為120˚C/W，金屬罐為182˚C/W，小外形封裝為189˚C/W，微型SMD為230˚C/W，適用于焊接設(shè)備在印刷電路板中，在靜止的空氣環(huán)境中工作。LM258/LM258A和LM158/LM158A可根據(jù)最高結(jié)溫a+150˚C進(jìn)行降額。耗散是兩個(gè)放大器的總和-盡可能使用外部電阻器，以使放大器飽和或降低所消耗的功率在集成電路中。

注2：從輸出到V+的短路可能導(dǎo)致過(guò)熱并最終導(dǎo)致?lián)p壞。當(dāng)考慮對(duì)地短路時(shí)，最大輸出電流約為40毫安，與V+的大小無(wú)關(guān)。當(dāng)電源電壓值超過(guò)+15V時(shí)，持續(xù)短路可能超過(guò)功率損耗額定值并導(dǎo)致最終破壞。破壞性耗散可由所有放大器同時(shí)短路引起。

注3：只有當(dāng)任何輸入引線上的電壓為負(fù)驅(qū)動(dòng)時(shí)，該輸入電流才會(huì)存在。這是由于輸入PNP的集電極基極結(jié)造成的晶體管變得正向偏壓，從而起到輸入二極管鉗位的作用。除了這種二極管的作用，還有橫向NPN寄生晶體管的作用在IC芯片上。晶體管的這種作用會(huì)導(dǎo)致運(yùn)算放大器的輸出電壓在一段時(shí)間內(nèi)達(dá)到V+電壓電平（或大的過(guò)驅(qū)動(dòng)時(shí)接地）輸入是負(fù)驅(qū)動(dòng)的。這不是破壞性的，當(dāng)輸入電壓為負(fù)數(shù)時(shí)，正常輸出狀態(tài)將重新建立大于−0.3V（25˚C時(shí)）。

注4：對(duì)于LM158/LM158A，這些規(guī)范僅限于−55˚C≤TA≤+125˚C。對(duì)于LM258/LM258A，所有溫度規(guī)格均限于−25˚C≤TA≤+85˚C，LM358/LM358A溫度規(guī)格限制在0˚C≤TA≤+70˚C，LM2904規(guī)格限制在−40˚C≤TA≤+85攝氏度。

注5:VO。1.4V，RS=0Ω，V+從5V到30V；并且在25˚C的全輸入共模范圍（0V到V+−1.5V）。對(duì)于LM2904，V+從5V到26V。

注6：由于PNP輸入級(jí)，輸入電流的方向超出IC。這個(gè)電流基本上是恒定的，與輸出的狀態(tài)無(wú)關(guān)輸入行上不存在加載更改。

注7：任何一個(gè)輸入信號(hào)電壓的輸入共模電壓的負(fù)值不應(yīng)超過(guò)0.3V（在25˚C時(shí)）。的上端共模電壓范圍為V+−1.5V（25˚C時(shí)），但任一輸入或兩個(gè)輸入均可達(dá)到+32V而無(wú)損壞（+26V用于LM2904），與V+。

注8：由于外部部件接近，確保耦合不是通過(guò)這些外部部件之間的雜散電容產(chǎn)生的。這通常可以是當(dāng)這種類(lèi)型的電容在更高頻率下增加時(shí)被檢測(cè)到。

注9：LM158A軍用規(guī)格見(jiàn)RETS158A，LM158A軍用規(guī)格見(jiàn)RETS158X。

注10：人體模型，1.5 kΩ串聯(lián)100 pF。

典型性能特征

程序提示

LM158系列是運(yùn)算放大器，僅使用單電源電壓，具有真正的差分輸入，并用輸入共模保持線性模式0 VDC電壓。這些放大器的工作范圍很廣電源電壓的變化不大特點(diǎn)。在25˚C時(shí)，放大器可能會(huì)停止工作最小電源電壓為2.3 VDC。應(yīng)采取預(yù)防措施確保電源因?yàn)榧呻娐返臉O性永遠(yuǎn)不會(huì)顛倒或者該裝置不是無(wú)意中向后安裝在測(cè)試插座作為通過(guò)IC內(nèi)正向二極管的無(wú)限電流浪涌可能導(dǎo)致內(nèi)部導(dǎo)體會(huì)導(dǎo)致單元損壞。大的差分輸入電壓可以很容易地適應(yīng)而且，作為輸入差動(dòng)電壓保護(hù)二極管需要的是，沒(méi)有大的輸入電流由大的差異輸入電壓。差分輸入電壓可能更大在不損壞設(shè)備的情況下。保護(hù)應(yīng)該是用于防止輸入電壓變?yōu)樨?fù)大于−0.3 VDC（25˚C時(shí)）。輸入鉗位二極管可以使用IC輸入端的電阻器。為了減少電源電流消耗，放大器為小信號(hào)電平提供a級(jí)輸出級(jí)將a模式轉(zhuǎn)換為B類(lèi)信號(hào)。這使得放大器都源和匯大的輸出電流。因此，NPN和PNP外部電流升壓晶體管都可以用來(lái)擴(kuò)展basic的功率容量放大器。輸出電壓需要升高大約1個(gè)二極管下降到地面以上，以偏置芯片上的垂直P(pán)NP輸出電流下降應(yīng)用晶體管。對(duì)于交流應(yīng)用，負(fù)載電容耦合到放大器的輸出，應(yīng)該使用一個(gè)電阻器，從放大器對(duì)地的輸出以增加A級(jí)偏置電流和防止交叉失真。

在哪里負(fù)載是直接耦合的，在直流應(yīng)用中，沒(méi)有交叉失真。直接施加在放大器降低了環(huán)路穩(wěn)定裕度。值為50pF可以使用最壞情況下的非反轉(zhuǎn)進(jìn)行調(diào)節(jié)團(tuán)結(jié)獲得聯(lián)系。大閉環(huán)增益或電阻如果必須使用較大的負(fù)載電容，則應(yīng)使用隔離由放大器驅(qū)動(dòng)。LM158的偏置網(wǎng)絡(luò)建立漏極電流與電源的大小無(wú)關(guān)電壓超過(guò)3 VDC到30 VDC。輸出對(duì)地短路或?qū)φ娫炊搪饭?yīng)時(shí)間應(yīng)短。裝置可以被斷電，而不是由于短路電流引起的金屬熔化，而是由于IC芯片的大量增加因功能溫度過(guò)高而導(dǎo)致最終失效的耗散。接通直接短路一次多個(gè)放大器將增加總集成電路如果沒(méi)有采用串聯(lián)的外部耗散限制電阻器進(jìn)行適當(dāng)保護(hù)，則功率損耗達(dá)到破壞性水平有放大器的輸出引線。較大值25°C時(shí)可用的輸出源電流提供高溫下更大的輸出電流能力（見(jiàn)典型性能特性）比標(biāo)準(zhǔn)集成電路運(yùn)算放大器。典型應(yīng)用章節(jié)中介紹的電路強(qiáng)調(diào)僅在單一電源電壓下操作。如果有補(bǔ)充電源，所有可以使用標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器電路。一般來(lái)說(shuō)，引入一個(gè)偽接地（V的偏置電壓基準(zhǔn)+/2） 威爾允許在單電源中高于或低于此值的操作供應(yīng)系統(tǒng)。顯示了許多應(yīng)用電路利用寬輸入共模電壓范圍包括地面。在大多數(shù)情況下，輸入偏置是不需要和輸入電壓的范圍可以接地容易適應(yīng)。

注11:LM158可根據(jù)SMD#5962-8771001提供LM158A可根據(jù)SMD#5962-8771002提供

注12：輻射耐受裝置見(jiàn)標(biāo)準(zhǔn)Mil圖紙5962L87710

典型單電源應(yīng)用（V+=5.0 VDC）（續(xù)）

典型單電源應(yīng)用（V+=5.0 VDC）（續(xù)）

　　安芯科創(chuàng)是一家國(guó)內(nèi)芯片代理和國(guó)外品牌分銷(xiāo)的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國(guó)產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開(kāi)發(fā),以及元器件一站式采購(gòu)服務(wù),類(lèi)型有運(yùn)放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類(lèi)模組等電子元器件銷(xiāo)售。（關(guān)于元器件價(jià)格請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服黃經(jīng)理：15382911663）

　　代理分銷(xiāo)品牌有：ADI_亞德諾半導(dǎo)體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導(dǎo)體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導(dǎo)體/HDSC_華大半導(dǎo)體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國(guó)民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導(dǎo)體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導(dǎo)體/TD_TECHCODE美國(guó)泰德半導(dǎo)體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責(zé)聲明：部分圖文來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，文章內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議，若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。