2相運(yùn)行

同步整流控制

超快速負(fù)載響應(yīng)

集成大電流門

驅(qū)動(dòng)器：高達(dá)2A柵極電流

TTL兼容5位可編程

輸出電壓從0.800V到1.550V

25mV步進(jìn)

動(dòng)態(tài)視頻管理

0.6%輸出電壓精度

10%有功均流精度

數(shù)字2048步進(jìn)軟啟動(dòng)

過壓保護(hù)

實(shí)現(xiàn)過電流保護(hù)

使用下MOSFET的RdsON或A

感測(cè)電阻器

外部可調(diào)振蕩器

內(nèi)部固定在200kHz

功率良好輸出和抑制

功能

遙控緩沖器

包裝：SO-28

應(yīng)用

服務(wù)器和工作站

大電流電源

微處理器

分布式電源

說明

該裝置是一種電源控制器設(shè)計(jì)用于提供高性能DC/DC大電流微處理器的轉(zhuǎn)換。這個(gè)該裝置實(shí)現(xiàn)了一個(gè)雙相降壓控制器，各相之間有180°的相移階段。一種精確的5位數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）允許調(diào)整輸出電壓0.800V至1.550V，25mV二進(jìn)制步驟，實(shí)時(shí)管理視頻代碼更改。高精度內(nèi)部基準(zhǔn)確保所選輸出電壓應(yīng)在±0.6%范圍內(nèi)。這個(gè)高峰值電流門驅(qū)動(dòng)器提供快速切換到提供低功耗的外部功率mos開關(guān)損耗。該裝置保證了對(duì)負(fù)載的快速保護(hù)過電流和負(fù)載過壓/欠壓。提供一個(gè)內(nèi)部撬棍，在較低的一側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)mosfet，如果檢測(cè)到過電壓。萬一過流，系統(tǒng)以恒流模式工作。

電氣特性

VCC=12V±15%，TJ=0至70°C，除非另有規(guī)定

電氣特性（續(xù)）

VCC=12V±15%，TJ=0至70°C，除非另有規(guī)定

設(shè)備說明

該器件是采用BCD技術(shù)實(shí)現(xiàn)的集成電路。它提供完整的控制邏輯和保護(hù)一種適用于微處理器電源的高性能雙相降壓DC-DC變換器。設(shè)計(jì)了一種雙相同步整流buck拓?fù)潋?qū)動(dòng)N溝道m(xù)osfet。180度相移是在兩個(gè)相位之間提供，允許減小輸入電容器電流紋波，同時(shí)減小尺寸和損失。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓可以精確調(diào)節(jié)，通過編程VID引腳，從0.825V到1.575V，25 mV二進(jìn)制階躍，溫度和線電壓變化的最大公差為±0.6%。這個(gè)裝置自動(dòng)調(diào)節(jié)25毫伏以上的錘式數(shù)模轉(zhuǎn)換器，避免使用任何外部設(shè)置電阻。設(shè)備管理動(dòng)態(tài)的視頻代碼變化，步進(jìn)到新的配置后的視頻表沒有需要外部組件。該裝置提供了平均電流模式控制和快速瞬態(tài)響應(yīng)。它包括一個(gè)150kHz自激振蕩器。誤差放大器具有15V/μs的轉(zhuǎn)換率，允許高轉(zhuǎn)換器快速瞬態(tài)性能的帶寬。當(dāng)前信息是通過較低的mosfets RdsON或跨感應(yīng)電阻器處于全差分模式。電流信息校正PWM輸出，以均衡各相的平均電流。然后，兩相之間的電流共享被限制在±10%的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)條件。該裝置可防止過電流，每相都有一個(gè)OC閾值，進(jìn)入恒流模式。由于電流是通過低側(cè)MOSFET讀取的，所以恒定電流使電感器底部電流呈三角形波形。當(dāng)檢測(cè)到欠電壓時(shí)，設(shè)備鎖定并故障引腳驅(qū)動(dòng)高。該設(shè)備還執(zhí)行過電壓保護(hù)，該保護(hù)可立即禁用設(shè)備打開較低驅(qū)動(dòng)器并驅(qū)動(dòng)高故障引腳。

振蕩器

開關(guān)頻率內(nèi)部固定在150kHz。每個(gè)相位在振蕩器固定的頻率下工作在負(fù)載側(cè)產(chǎn)生的開關(guān)頻率會(huì)增加一倍。內(nèi)部振蕩器產(chǎn)生三角形波形，用于以恒定電流對(duì)內(nèi)部電容器進(jìn)行充電和放電。傳送到振蕩器的電流通常為25A（Fsw=150kHz），并且可以改變使用連接在OSC引腳和GND或Vcc之間的外部電阻器（ROSC）。因?yàn)镺SC引腳保持在固定電壓（典型。1.237V）時(shí)，頻率與從引腳（內(nèi)部增益為6KHz/μA）凹陷（強(qiáng)制）的電流成比例變化。尤其是將其連接到GND時(shí)，頻率會(huì)增加（電流從引腳處下沉），同時(shí)連接ROSC對(duì)于Vcc=12V，根據(jù)以下關(guān)系，頻率降低（電流被強(qiáng)制進(jìn)入引腳）：

請(qǐng)注意，將25μa的電流壓入該管腳中，設(shè)備將停止切換，因?yàn)闆]有電流輸送到振蕩器。

數(shù)模轉(zhuǎn)換器

內(nèi)置的數(shù)模轉(zhuǎn)換器允許將輸出電壓從0.800V調(diào)整到1.550V25mV，如前表1所示。內(nèi)部基準(zhǔn)被調(diào)整以確保輸出電壓精度±0.6%，零溫度系數(shù)約為70°C。調(diào)節(jié)的內(nèi)部參考電壓由電壓識(shí)別（VID）引腳編程。這些是內(nèi)部DAC的TTL兼容輸入通過一系列提供內(nèi)部電壓基準(zhǔn)分區(qū)的電阻實(shí)現(xiàn)。VID代碼驅(qū)動(dòng)一個(gè)多路復(fù)用器，它在分壓器的精確點(diǎn)上選擇一個(gè)電壓。DAC輸出被傳送到獲得VPROG參考電壓的放大器（即誤差放大器的設(shè)定值）。內(nèi)部上拉是提供（用5μa電流發(fā)生器實(shí)現(xiàn)，最高3.0V典型值）；這樣，編程邏輯“1”就足夠了為了使引腳保持浮動(dòng)狀態(tài)，而編程邏輯“0”則足以使引腳短接至GND。編程“11111”代碼，設(shè)備進(jìn)入NOCPU模式：所有MOSFET關(guān)閉，保護(hù)失效。條件已鎖定。電壓識(shí)別（VID）引腳配置還設(shè)置功率良好閾值（PGOOD）和/欠壓保護(hù)（OVP/UVP）閾值。

動(dòng)態(tài)視頻轉(zhuǎn)換

該設(shè)備能夠管理動(dòng)態(tài)視頻代碼更改，允許在正常設(shè)備操作期間修改輸出電壓。該設(shè)備檢查每個(gè)時(shí)鐘周期（與PWM斜坡同步）的VID代碼修改。一旦新代碼在一個(gè)以上的時(shí)鐘周期內(nèi)保持穩(wěn)定，則引用將逐步遞增或遞減每時(shí)鐘周期增加25mV，直到達(dá)到新的VID代碼。在轉(zhuǎn)換過程中，VID代碼會(huì)發(fā)生變化忽略；設(shè)備在轉(zhuǎn)換完成后重新開始監(jiān)視VID。好的，信號(hào)在轉(zhuǎn)換過程中被屏蔽，當(dāng)OVP/UVP仍處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí)，信號(hào)在轉(zhuǎn)換完成后被重新激活。

集成的大電流驅(qū)動(dòng)器允許使用不同類型的功率MOS（也可以使用多個(gè)MOS來減少保持快速切換轉(zhuǎn)換。高壓側(cè)mosfet的驅(qū)動(dòng)器使用BOOTx引腳供電，PHASEx引腳用于返回。的驅(qū)動(dòng)程序低壓側(cè)MOSFET使用VCCDRV引腳供電，PGND引腳用于回路。在VC  CDRV引腳處需要至少4.6V的電壓才能開始設(shè)備的操作。該控制器包含一個(gè)復(fù)雜的防擊穿系統(tǒng)，以盡量減少低側(cè)體二極管的傳導(dǎo)時(shí)間保持良好的效率節(jié)省肖特基二極管的使用。死區(qū)時(shí)間減少到幾納秒，確保高側(cè)和低側(cè)MOSFET不會(huì)同時(shí)開啟：當(dāng)高側(cè)mosfet關(guān)閉時(shí)，其源上的電壓開始下降；當(dāng)電壓達(dá)到2V時(shí)，低側(cè)mosfet柵極驅(qū)動(dòng)器施加30ns延遲。當(dāng)?shù)蛡?cè)mosfet關(guān)閉時(shí)，檢測(cè)LGATEx引腳上的電壓。它下降到1V以下，高側(cè)mosfet柵極驅(qū)動(dòng)采用延遲30ns。如果電感為負(fù)，高邊mosfet的源永遠(yuǎn)不會(huì)下降。

即使在這種情況下，為了允許低側(cè)mosfet的開啟，一個(gè)看門狗控制器被啟用：如果源高邊mosfet的下降時(shí)間不超過240ns，低側(cè)mosfet被打開，從而允許電感器的負(fù)電流再循環(huán)。這種機(jī)制允許系統(tǒng)調(diào)節(jié)，即使電流沒有。BOOTx和VCCDR引腳與IC的電源（VCC引腳）以及信號(hào)接地（SGND）分開引腳）和電源接地（PGND引腳），以最大限度地提高開關(guān)抗擾度。分開供應(yīng)對(duì)于不同的驅(qū)動(dòng)器，在mosfet的選擇上給予了很高的靈活性，允許使用邏輯電平的mosfet。可以選擇幾種供應(yīng)組合來優(yōu)化應(yīng)用程序的性能和效率。功率轉(zhuǎn)換靈活；5V或12V母線可自由選擇。圖3顯示了兩個(gè)相位的上驅(qū)動(dòng)器和下驅(qū)動(dòng)器的峰值電流。已使用10nF容量負(fù)載。對(duì)于上層驅(qū)動(dòng)器，源電流為1.9A，而吸收電流為1.5AVBOOT-V相=12V；同樣，對(duì)于較低的驅(qū)動(dòng)器，源電流為2.4A，而陷波電流為2AVCCDR=12伏。

電流讀數(shù)和過電流

通過低壓側(cè)MOSFET RdsON或通過一個(gè)感應(yīng)電阻（RSENSE）并在內(nèi)部轉(zhuǎn)換成電流。給出了傳輸電導(dǎo)比通過外部電阻Rg放置在芯片外部，朝向讀取點(diǎn)的ISENx和PGNDSx引腳之間。全差分電流讀數(shù)可抑制噪聲，并允許將傳感元件放置在不同位置，而不影響測(cè)量精度。電流讀取電路在低側(cè)mosfet是開（關(guān)時(shí)間）。在這段時(shí)間內(nèi)，反應(yīng)保持針I(yè)SENx和PGNDSx在相同的電壓下，當(dāng)讀取電路關(guān)閉時(shí)，內(nèi)部鉗位保持這兩個(gè)相同電壓下的引腳從ISENx引腳上沉下必要的電流（如果低側(cè)mosfet RdsON需要執(zhí)行sense是為了避免在ISENx引腳上克服絕對(duì)最大額定值）。專利的電流讀取電路允許非常精確和高帶寬的讀數(shù)，無論是正極還是負(fù)電流。該電路以高速再現(xiàn)流過傳感元件的電流跟蹤保持傳輸電導(dǎo)放大器。特別是，它在關(guān)閉的后半段讀取電流由于mosfet的開啟，減少了噪聲注入到器件中的時(shí)間（見圖4）。跟蹤時(shí)間必須至少為200納秒，以正確讀取輸送電流該電路從PGNDSx引腳提供恒定的50μa電流，并使引腳ISENx和PGNDSx保持在相同的電壓。參考圖4，ISENx引腳中的電流由下式給出公式：

其中RSENSE是一個(gè)外部感測(cè)電阻或rds，on的低端mosfet和Rg是跨導(dǎo)ISENx和PGNDSx引腳之間朝向讀數(shù)點(diǎn)的電阻器；Iphose是每個(gè)引腳攜帶的電流相位，特別是在振蕩器周期中間測(cè)得的電流內(nèi)部再現(xiàn)的當(dāng)前信息用前面等式的第二項(xiàng)表示為跟隨：

因?yàn)殡娏魇窃诓罘帜Ｊ较伦x取的，所以負(fù)電流信息也會(huì)被保留；這允許設(shè)備檢查兩相之間是否存在危險(xiǎn)回流，以確保相電流。從各相的電流信息中，得到關(guān)于總電流的信息（IFB=IINFO1+IINFO2），取每相的平均電流（IAVG=（IINFO1+IINFO2）/2）。然后，IINFOX與IAVG進(jìn)行比較，對(duì)PWM輸出進(jìn)行校正，以均衡兩相攜帶的電流。跨導(dǎo)電阻器Rg可設(shè)計(jì)為每相25μA的電流信息滿額定負(fù)載；過電流干預(yù)閾值設(shè)置為標(biāo)稱值的140%（IINFOx=35μA）。根據(jù)對(duì)于上述關(guān)系，每個(gè)相的過電流閾值（IOCPx）必須設(shè)為一半在總輸送最大電流中，結(jié)果：

因?yàn)樵撈骷梢愿袘?yīng)到低側(cè)mosfet的輸出電流（或串聯(lián)的感應(yīng)電阻）設(shè)備限制了電感器電流三角形波形的底部：檢測(cè)到過電流當(dāng)流入檢測(cè)元件的電流大于IOCPx（IINFOx>35μA）時(shí)。現(xiàn)在引入最大導(dǎo)通時(shí)間與電流的關(guān)系（其中T是開關(guān)周期T=1/fSW）：

這種線性關(guān)系在零負(fù)荷時(shí)為0.80·T，在最大電流為0.40·T時(shí)具有典型的值在設(shè)備的兩種不同行為中：

1.t限制輸出電壓。

當(dāng)每相電流達(dá)到IOCPx（IINFOx）之前達(dá)到最大接通時(shí)間時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況<35μA）。圖5a顯示了考慮到功率限制，器件能夠調(diào)節(jié)的最大輸出電壓由以前的關(guān)系強(qiáng)加的。如果期望的輸出特性超過了噸限制的最大輸出過電壓后產(chǎn)生的輸出電壓會(huì)下降。在這種情況下，設(shè)備不執(zhí)行恒流限制，而只限制前一關(guān)系后的最大接通時(shí)間。在檢測(cè)到UVP或IFB=70μA之前，輸出電壓遵循產(chǎn)生的特性（如圖5b所示）。

2.恒流運(yùn)行

當(dāng)每相電流達(dá)到IOCPx（IINFOx>35μA）后達(dá)到接通時(shí)間限制時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況。器件進(jìn)入準(zhǔn)恒流運(yùn)行：低側(cè)mosfet在電流讀數(shù)前保持開啟低于IOCPx（IINFOx<35μA）跳過時(shí)鐘周期。高側(cè)mosfet可以用在下一個(gè)可用的時(shí)鐘周期中，由控制回路施加的一個(gè)噸，設(shè)備以通常的方式工作，直到檢測(cè)到另一個(gè)OCP事件。這意味著在過流情況下，由于電流波動(dòng)增大，平均電流也會(huì)略有增加。事實(shí)上，接通時(shí)間增加是由于關(guān)斷時(shí)間的增加，因?yàn)殡娏鞅仨氝_(dá)到IOCPx底部。最壞的情況是當(dāng)接通時(shí)間達(dá)到最大值時(shí)。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，器件工作在恒流中，輸出電壓隨著負(fù)載的增加而降低。超過UVP閾值會(huì)導(dǎo)致設(shè)備鎖定（故障引腳被高電平驅(qū)動(dòng)）。圖6顯示了這種工作條件可以觀察到峰值電流（Ipeak）大于IOCPx，但可以確定如下：

其中VoutMIN是最小輸出電壓（VID-30%，如下所示）。該器件工作在恒流狀態(tài)下，輸出電壓隨著負(fù)載的增加而降低，直至輸出電壓達(dá)到欠電壓閾值（VoutMIN）。當(dāng)超過這個(gè)閾值時(shí)，所有的mosfet都會(huì)被翻轉(zhuǎn)關(guān)閉時(shí)，故障引腳被高電平驅(qū)動(dòng)，設(shè)備停止工作。循環(huán)電源以重新啟動(dòng)操作。這個(gè)恒流行為期間的最大平均電流結(jié)果：

在這種特殊情況下，開關(guān)頻率的結(jié)果降低。準(zhǔn)時(shí)是允許的最長(zhǎng)時(shí)間（TonMAX）關(guān)閉時(shí)間取決于應(yīng)用程序：

當(dāng)IINFOx達(dá)到35μA（如果B=70μA）時(shí)，仍然設(shè)置過電流。滿載值只是慣例使用IFB的方便值。由于OCP干預(yù)閾值是固定的，為了修改相對(duì)于負(fù)載值的百分比，可以簡(jiǎn)單地認(rèn)為，例如，具有on OCP閾值170%時(shí)，相當(dāng)于IINFOx=35μA（如果B=70μA）。滿載電流將與IINFOx=20.6μA（如果B=41.1μA）。

集成下垂函數(shù)

該器件采用下垂函數(shù)來滿足高性能微處理器的要求，降低了功耗輸出電容器的尺寸和成本。這種方法“恢復(fù)”了負(fù)載瞬態(tài)中由于輸出電容ESR引起的部分壓降，從而引入了輸出電壓與負(fù)載電流的依賴關(guān)系如圖7所示，ESR降在任何情況下都存在，但使用降速函數(shù)，則輸出電壓最小。實(shí)際上，降速功能引入了與輸出電流成比例的靜態(tài)誤差（圖8中的VDROOP）。由于設(shè)備具有平均電流模式調(diào)節(jié)，因此提供的總電流用于實(shí)現(xiàn)降速功能。該電流（等于兩個(gè)IINFOx之和）來自FB引腳。在這個(gè)引腳之間連接一個(gè)電阻和VOUT，總電流信息只在這個(gè)電阻中流動(dòng)，因?yàn)檠a(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)之間FB和COMP總是串聯(lián)一個(gè)電容器（見圖8）。調(diào)節(jié)電壓等于：

由于IFB依賴于兩相的電流信息，因此輸出特性與負(fù)載電流的關(guān)系為出：

在額定滿載（IFB=IINFO1+IINFO2）下，反饋電流等于50μA，OC干預(yù)時(shí)，反饋電流等于70μA閾值，因此最大輸出電壓偏差等于：∆V全正負(fù)荷=-RFB·50μA∆VOC_干預(yù)=-RFB·70μA

降速功能只對(duì)正負(fù)載提供；如果施加負(fù)負(fù)載，然后IINFOx<0，則沒有電流從FB銷上沉下來。該裝置在VID編程的電壓下進(jìn)行調(diào)節(jié)。

遠(yuǎn)程電壓檢測(cè)

該裝置集成了一個(gè)遠(yuǎn)程傳感緩沖器，使得輸出電壓遠(yuǎn)程傳感的實(shí)現(xiàn)不需要任何其他外部組件。通過這種方式，編程的輸出電壓在遠(yuǎn)程緩沖輸入之間調(diào)節(jié)，如果設(shè)備用于VRM，則補(bǔ)償主板跟蹤損耗或連接器損耗模塊。極低偏移放大器通過引腳FBR和FBG（FBR）遠(yuǎn)程感測(cè)輸出電壓用于調(diào)節(jié)電壓檢測(cè)，而FBG用于接地檢測(cè)），并在VSEN內(nèi)部報(bào)告該電壓統(tǒng)一增益引腳消除錯(cuò)誤。保持FBR和FBG軌跡平行并由電源保護(hù)平面會(huì)導(dǎo)致任何拾取噪聲的共模耦合。如果不需要遠(yuǎn)程感應(yīng)，將RFB直接連接到調(diào)節(jié)電壓就足夠了：VSEN變成未連接，仍通過遠(yuǎn)程緩沖器感應(yīng)輸出電壓。在這種情況下，F(xiàn)BG和FBR引腳必須連接到規(guī)定電壓（見圖10）。遠(yuǎn)程緩沖器包括在微調(diào)鏈中，以便在輸出電壓上達(dá)到±0.5%的精度當(dāng)使用RB時(shí)：將其從控制回路中消除會(huì)導(dǎo)致RB增加調(diào)節(jié)誤差抵消了設(shè)備性能的惡化。

輸出電壓監(jiān)視器和保護(hù)

該裝置通過pin-VSEN對(duì)調(diào)節(jié)電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，以建立良好的信號(hào)并進(jìn)行管理OVP/UVP條件。如果VSEN感應(yīng)到的電壓不在編程值的±12%（典型值）范圍內(nèi)，則功率良好輸出強(qiáng)制為低價(jià)值觀。它是一個(gè)漏極開路輸出，只有在軟啟動(dòng)完成（啟動(dòng)后2048個(gè)時(shí)鐘周期）后才啟用。在軟啟動(dòng)期間，該引腳被強(qiáng)制低。提供欠壓保護(hù)。如果VSEN監(jiān)控的輸出電壓在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)低于參考電壓的60%，則該設(shè)備將關(guān)閉所有MOSFET，并驅(qū)動(dòng)OSC/故障高（5V）。條件已鎖定，要恢復(fù)，需要循環(huán)電源。還提供過電壓保護(hù)：當(dāng)VSEN監(jiān)測(cè)的電壓達(dá)到OVP閾值時(shí)VOVP控制器永久性地打開低側(cè)MOSFET，同時(shí)關(guān)閉高側(cè)為了保護(hù)負(fù)載。OSC/故障引腳驅(qū)動(dòng)為高電平（5V），電源（Vcc）關(guān)閉和on是重新啟動(dòng)操作所必需的。過電壓百分比由固定的OVP閾值VOVP和參考電壓之間的比率來設(shè)置VID編制：

過電壓和欠電壓也在軟啟動(dòng)期間激活（低于輸出電壓0.6V后）。在這種情況下，用于確定紫外閾值的參考值是增加的電壓由2048軟啟動(dòng)數(shù)字計(jì)數(shù)器驅(qū)動(dòng)，而用于OV閾值的參考是最終參考由VID引腳編程。

軟啟動(dòng)和抑制

在啟動(dòng)時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)斜坡，將回路參考從0V增加到VID in編程的最終值2048個(gè)時(shí)鐘周期，如圖10所示。一旦軟啟動(dòng)開始，參考值增加：上下MOS開始開關(guān)，輸出電壓開始隨著閉環(huán)調(diào)節(jié)而增加。在數(shù)字軟啟動(dòng)結(jié)束后，功率良好的比較器使能，然后PGOOD信號(hào)被高電平驅(qū)動(dòng)（見圖10）。欠壓比較器啟用當(dāng)參考電壓達(dá)到0.6V時(shí)，如果VCC和VCCDR引腳都不會(huì)超過他們自己的啟動(dòng)閾值。在正常運(yùn)行期間，如果在兩個(gè)電源中的一個(gè)上檢測(cè)到任何欠電壓，則設(shè)備關(guān)閉。強(qiáng)制OSC/INH引腳的電壓低于0.6V（典型值）會(huì)禁用設(shè)備：所有功率MOSFET和保護(hù)關(guān)閉，直到條件消除。

輸入電容器

輸入電容器的設(shè)計(jì)主要考慮輸入均方根電流，而輸入均方根電流取決于占空比如圖11所示。考慮到雙相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，輸入均方根電流較低單相運(yùn)行。

可以觀察到輸入均方根值最差為單相等效輸入電流的一半當(dāng)D=0.25和D=0.75時(shí)發(fā)生的情況。輸入電容消耗的功率等于：

輸入電容器的設(shè)計(jì)是為了維持相對(duì)于最大負(fù)載占空比的紋波。到達(dá)CPU電源應(yīng)用程序所需的高RMS值，也可將組件成本、輸入電容是由一個(gè)以上的物理電容實(shí)現(xiàn)的。等效均方根電流是單個(gè)電容器的均方根電流。輸入大容量電容器必須在高側(cè)漏極mosfet之間平均分配，并盡可能靠近在負(fù)載瞬變過程中，首先要降低開關(guān)噪聲。陶瓷電容器也可以帶來高效益頻率噪聲去耦，寄生元件沿功率路徑產(chǎn)生的噪聲。

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