特點和優(yōu)點

電源電壓，VBB，最大450 V，建議25至400 V；注意：最低電壓可能會有所不同取決于LED負(fù)載

輸出電流IO（最大）選項：

0.5安，LC5205D

1.0安，LC5210D

恒流控制電路：

固定關(guān)斷時間PWM恒流控制，關(guān)斷時間可由外部部件調(diào)節(jié)

外部可調(diào)輸入電壓輸出電流

至參考引腳

輸出電流通過外部PWM信號調(diào)光；低發(fā)送到TOFF引腳的信號切斷輸出電流和PWM該引腳的信號輸入可實現(xiàn)調(diào)光

欠壓閉鎖保護(hù)（UVLO）

過電流保護(hù)（OCP）；閉鎖以響應(yīng)對地短路

熱關(guān)機(jī)保護(hù)（TSD）；保護(hù)IC

溫度過高損壞，自動重啟

溫度降至閾值以下

說明

LC5200系列是一款離線式LED驅(qū)動集成電路，包括主控制器集成電路（MIC）和功率MOSFET。它的高壓能力允許直接連接范圍廣泛的電源電壓范圍從25至400 V（推薦）。LC5200使用常量驅(qū)動LED的當(dāng)前模式。包裝是一種標(biāo)準(zhǔn)8針DIP，移除銷7以獲得更大的爬電距離從電源插腳。

給出的所有性能特性均為僅電路或系統(tǒng)基線設(shè)計，且處于標(biāo)稱值工作電壓和25°C的環(huán)境溫度，不低于其他規(guī)定。

除非另有說明，否則電氣特性在TA=25°C和VBB=140 V下有效

調(diào)節(jié)器

LC5200系列提供12 V的輸出電壓從用于供電的VBB引腳上的電源電壓內(nèi)部電路和外部部件。當(dāng)MOSFET發(fā)生柵電容充電時，它會產(chǎn)生電流浪涌，導(dǎo)致紋波電壓。這可能會影響操作，因此，在REG引腳處連接一個0.1μF陶瓷電容器穩(wěn)定操作。

電流控制

電流控制采用固定關(guān)斷時間的PWM拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這個輸出電流電平可由REF上的輸入電壓設(shè)置引腳，以及電流感應(yīng)電阻上的電壓別針。此外，固定的關(guān)閉時間可以通過這些值進(jìn)行調(diào)整為TOFF引腳處的外部電容器和電阻器選擇。

欠壓鎖定

這樣可以通過關(guān)機(jī)來防止設(shè)備出現(xiàn)故障內(nèi)部電源電壓降低時的輸出電路比ULVO閾值電壓，VUVLO。此外，UVLO電路用于過電流的上電復(fù)位功能保護(hù)（OCP）。

TSD（熱關(guān)機(jī)）

當(dāng)主控芯片（MIC）溫度超過TSD時閾值溫度，TTSD，裝置關(guān)閉輸出（系統(tǒng)邏輯繼續(xù)運行），以避免溫度異常升高。當(dāng)溫度因滯后而下降時數(shù)量、TTSDhys或如果電源電壓被回收，則設(shè)備恢復(fù)正常操作。注：主要熱源是MOSFET，當(dāng)熱量擴(kuò)散到麥克風(fēng)和感應(yīng)。因此，溫度迅速升高M(jìn)OSFET可能會損壞設(shè)備。

OCP（過流保護(hù)）

當(dāng)感應(yīng)引腳輸入電壓達(dá)到OCP閾值時，VOCP，它關(guān)閉輸出并切換到鎖存模式。整齊要從閂鎖模式釋放，請關(guān)閉設(shè)備電源。注：OCP用于保護(hù)設(shè)備不受過電流的影響。OCP公司在LED短路狀態(tài)下可能不工作，因為線圈可能抑制電流增加。

內(nèi)部開關(guān)邏輯

該器件可根據(jù)需要開啟或關(guān)閉MOSFET柵極驅(qū)動電路電流控制感測電路和保護(hù)電路的狀態(tài)。

門驅(qū)動器操作

這包括MOSFET柵極驅(qū)動電路。LC5200系列中的兩個設(shè)備版本是有區(qū)別的從彼此的MOSFET電流額定值。選擇當(dāng)前與應(yīng)用電路最匹配的額定值。

典型應(yīng)用實例

圖1所示為典型的電路應(yīng)用。價值觀外部部件見下表。

組件值設(shè)置

LED LED電流不應(yīng)超過LC5200設(shè)備電流評級。將LED串上的總電壓降設(shè)置為小于VBB；否則，LED串熄滅。作為將軍設(shè)計原則是，PWM關(guān)斷時間應(yīng)較長，如果有較小的通過LED串的電壓下降，它應(yīng)該更短如果LED串上的電壓下降很高。對于LC5205D，建議LED串上的電壓降為9至30 V，以確保正常運行

該元件的電感越高，紋波振幅越小輸出電流有。一般情況下，建議0.5至20 mH。還要確保線圈在紋波峰值處不會飽和電流。飽和會導(dǎo)致高浪涌電流LED或設(shè)備損壞。二極管提供再循環(huán)電流的通路。如果二極管使用慢恢復(fù)特性時，會引起浪涌MOSFET開啟時的電流，以及噪聲增加和可能導(dǎo)致設(shè)備故障。此外，它還可以提高效率放下。因此，桑肯RL3A超快恢復(fù)二極管，或建議使用具有更好或同等恢復(fù)特性（50ns）的二極管。這是主電源整流電容器。這個電容越大，產(chǎn)生的紋波電壓越小。此外，由于較高的輸出功率會導(dǎo)致紋波電壓的增加，因此應(yīng)為輸出功率選擇適當(dāng)?shù)碾娙葜怠＜词闺娙莺艿停ū热?000 pF）和紋波電壓升高，裝置工作。這也使得一種非電解電容器設(shè)計，可延長單位壽命和減少單位規(guī)模和成本。但是，如果紋波電壓低于LC5200 UVLO閾值，或低于LED串的電壓降時，LED會轉(zhuǎn)動在那段時間里。C1該電容器用于穩(wěn)定內(nèi)部調(diào)節(jié)器電路操作。將一個0.1μF電容器盡可能靠近設(shè)備可能是為了正確操作MOSFET。使用電容值導(dǎo)致開關(guān)速度慢和故障，但電容值過大則啟動緩慢。

以下公式：IPEAK=VREG×R2/（[R1+R2]×RS）

例如，如果目標(biāo)是0.35 A的IPEAK，則公式變成：IPEAK≈12（V）×20（kΩ）/（[20（kΩ）+680（kΩ）]×1Ω）=0.35安培

據(jù)此，R1=20KΩ，R2=680KΩ，RS=1Ω

請注意，R1和R2會導(dǎo)致內(nèi)部調(diào)節(jié)器。因此，為了使功耗最小化，請遵循以下公式：（R1+R2）>500千歐在實際設(shè)計中，由于內(nèi)部電路延遲，電流峰值往往高于估計值。這一點很明顯在高di/dt條件下，這可能是由高VBB或低線圈電感。對于電阻RS，因為輸出電流運行通過它，使用一個比功耗。這些決定了PWM關(guān)斷時間，TPOFF。圖2顯示基于不同Coff和Roff值的PWM關(guān)斷時間曲線。在推薦值下，PWM關(guān)閉時間約為20μs：Roff=560 kΩ，Coff=220 pF。

電流控制

PWM電流控制工作如圖3所示。PWM開啟周期。在MOSFET導(dǎo)通期間，電流運行通過離子路徑（如圖3中的紅色面板A所示）。MOSFET關(guān)閉。在接通期間，電流隨著面板B中的紅色波形，當(dāng)它到達(dá)VSENSE時閾值電壓，MOSFET關(guān)閉。

PWM周期關(guān)閉。在MOSFET關(guān)閉期間，反電動勢發(fā)生在線圈和線圈上的能量在接通時間期間，由當(dāng)前的IOFF運行斷電穿過A組藍(lán)色的通道。

MOSFET打開。在固定的關(guān)閉時間之后，由外部電容和電阻在Toff引腳，MOSFET轉(zhuǎn)動再次打開，并重復(fù)上述操作。圖4顯示了電流控制電路，圖5顯示了電路的時序圖。當(dāng)MOSFET打開時，兩者穿過傳感電阻器RS的負(fù)載電流和VSen增加。VSen和VSen的輸出是相反的>VRef（見圖5中的A點）。這將重置后一個RS閂鎖并它導(dǎo)致在信號通過后關(guān)閉MOSFET幾個邏輯電路。同時，Toff引腳上的Coff由內(nèi)部MOS開關(guān)充電，當(dāng)補(bǔ)償逆變輸入（與Toff引腳相連）電壓低于2 V時，Comp1輸出是反向的，它設(shè)置RS鎖存器。這關(guān)了MOS開關(guān)，并通過Roff啟動Coff的充電過程。Coff電壓（Toff pin）隨著它的增加而增加，當(dāng)它的電壓達(dá)到3伏，Comp1輸出變高，它打開MOSFET（圖5中的B點）。空白脈沖電路產(chǎn)生的周期掩模浪涌或響聲，從關(guān)閉邊緣到剛剛結(jié)束打開edge，以確保正確的PWM操作。

LED電流設(shè)置和調(diào)光

輸出電流電平可使用兩種可選方法進(jìn)行設(shè)置：內(nèi)部PWM控制。LC5200系列提供固定的關(guān)斷時間PWM電流控制操作，允許實現(xiàn)一種LED恒流控制電路外部部件數(shù)量。輸出電流按下式計算：IO=VREF/RS

根據(jù)這個公式，有兩種方法來計算LED電流可用控制： 模擬控制，改變參考引腳電壓，如中所示圖6，面板A）

PWM集成控制，輸入外部PWM信號通過低通濾波器（LPF）并將輸出連接到參考銷（圖6，面板B）在這兩種方法中，TOFF pin電壓被用來轉(zhuǎn)動MOSFET開或關(guān)，因此，電路如圖6所示，面板C還可以通過外部信號調(diào)節(jié)輸出電流。在這種應(yīng)用，當(dāng)外部小信號MOSFET轉(zhuǎn)動時開啟時，LC5200停止輸出脈沖。

外部PWM控制。在這種控制方法中，LC5200允許直接開關(guān)MOSFET，用于LED陣列之間的PWM同步操作或其他原因。采用這種方法，從REF連接一個上拉分流器如圖7所示。電容器和電阻從TOFF引腳上拆下，而不是PWM信號輸入到TOFF引腳。請注意，對于此方法內(nèi)部峰值電流控制被禁用；因此，它需要用于恒流操作的外部電流控制電路。但是，過電流保護(hù)仍然處于激活狀態(tài)以進(jìn)行保護(hù)LC5200和LED的電流過大。托夫針閾值具有滯后特性：從<2v到MOSFET關(guān)，從>3V到MOSFET開。因此，使用5V CMOS控件的兼容輸入。

關(guān)于TRIAC調(diào)光控制（相位控制）

常用的雙向晶閘管調(diào)光器主要用于電阻負(fù)載，它們需要雙向晶閘管保持電流相位控制。LC5200系列不響應(yīng)此類型的調(diào)光器，因為它沒有創(chuàng)建保持的功能斷相期間的電流。

功率因數(shù)改善

使LED電流與交流輸入電壓成比例提高了功率因數(shù)，可以用LC5200實現(xiàn)系列參考引腳功能。圖8顯示了應(yīng)用電路。沒有交流整流電容器，R2和R3將交流電壓產(chǎn)生一個比例低的電壓作為交流電壓對于參考銷。這樣，LED電流跟隨交流電壓塑造并提高功率因數(shù)。如果參考電壓波動范圍大，將鉗位二極管與R2并聯(lián)，以保護(hù)REF引腳。在這種情況下，參考電壓會發(fā)生畸變（圖8中的波形較低）并可能導(dǎo)致功率因數(shù)減少。圖9顯示了實際操作波形。展板A顯示在固定參考引腳電壓下運行，面板B顯示交流比例參考引腳電壓下的操作。對于這兩種操作，沒有使用交流整流電容器。黃色波形為交流輸入電流，黑色波形為2 kHz低通濾波波形。在面板B中，電流形成正弦波形，這意味著功率因數(shù)提高了。

圖9。功率因數(shù)改善工作波形：100VAC，5個白色LED串聯(lián)，LED平均電流0.5A；黑色軌跡：交流輸入電流IAC2 kHz低通濾波器后=500 mA/div；紅色跡線：2 kHz低通濾波器后的IAC=200 mA/div。

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